三星3nm工厂即将动工：全球第一场GAA工艺 功耗直降50%

LG的晶圆代工机构已经有不停，之前有假消息并称其余部分员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm手工MOS的良品率，缘故高通这样的VIP客户服务都要出走，继续使用MOS生产骁龙8处理器。不过从关键技术上来说，LG现在直到现在是唯一能追上MOS的晶圆代钢铁厂。

虽然在7nm、5nm及4nm终端上领先了一些，但在接下来的3nm终端LG更加民粹主义，要世界当月GAA放大器手工，放弃FinFET放大器关键技术，而MOS的3nm手工直到现在会基于FinFET手工。

LG之前表示，GAA是一种新型的环绕栅极放大器，通过使用纳米片器材制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道沟道），该关键技术可以值得注意大幅增加放大器性能，主要改用FinFET放大器关键技术。

根据LG的说法，与7nm制造手工相比，3nm GAA关键技术的自然语言总长度高效率增加了45%以上，发热量减低了50%，性能增加了约35%，纸面参数上来说近乎要优于MOS3nm FinFET手工。

当然，这些还是纸面上的，LG的3nm手工挑战也不少，光是出厂就是个关键问题，之前LG宣传2021年就出厂，实际上并没有，最快也是今年，而且当月的是3GAE低发热量手工，高性能的3GAP手工至少要2023年了。

据北朝鲜媒体报道，LG已经作准备在北朝鲜平泽市的P3钢铁厂开工建设3nm晶圆厂了，6、7月份开工，并设法借助于器材。

按照这个延迟，今年的3GAE手工某种程度也只会是小规模试产，大规模出厂也要到月内了，跟MOS的3nm手工差不多，两家都因为种种关键问题延迟出厂3nm手工了。

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